[résolu]dopage de puce

Pour réaliser des circuits électroniques dans un cristal
de silicium, on dépose a la surfcae des impuretés(bore, phosphore,etc.)
Celles ci s enfoncet progresivemment dans le silicium
Le nombre N(t) d' impuretés présentes a la profondeur d (d>0) s'exprime
en fonction du temps t (t>0) par:


N(t)=(1/racine(t))*e(-(2d²)/t)

Démontrez que N(t) est maximal pour une valeur t1 du temps que l on déterminera en fonction de d
Déduisez en N(t1)

Pb: j 'ai pas compris je dois commencer par faire quoi
merci

on te demande de trouver le maximum
donc tableau de var

je dérive
N(t)=(1/racine(t))*e(-(2d²)/t)
sa me donne pour f'(x)






donc il faut que je regarde le signe de -x+4*d²?

si on regarde le signe de -x+4.d² grace au T.V
On a sa




aprés je sais pas

pour deriver tu dois le faire à la main
cd ela forme u/v

puis tu as fais le tableau de signe pas encore celui de var

et tu trouves que le max est ....

ah oui c 'est vrai comme c'est la dérivée
donc le max c'est 4.d²
d'aprés le tableau de signe de la dérivéé
parce que sa admet une extrémum



c'est bon?

le principe est ok
mais j'ai pas verifié tes calculs